Tillverkare Produktnummer:
TK4R3E06PL,S1X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK4R3E06PL,S1X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
177 Pcs Ny Original I Lager
12890243
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK4R3E06PL,S1X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
U-MOSIX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3280 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
87W (Tc)
Drifttemperatur
175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK4R3E06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
