Tillverkare Produktnummer:
IPI80N06S405AKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI80N06S405AKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12802828
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI80N06S405AKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI80N06
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
2156-IPI80N06S405AKSA2-IT
INFINFIPI80N06S405AKSA2
SP001028724
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPI80N06S407AKSA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
500
DEL NUMMER
IPI80N06S407AKSA2-DG
ENHETSPRIS
0.80
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPI80N06S405AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IRF7946TR1PBF
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
IPI80N07S405AKSA1
MOSFET N-CH TO262-3
