Tillverkare Produktnummer:
IPI70N10S3L12AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI70N10S3L12AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventarier:
12808582
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI70N10S3L12AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 83µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI70N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000427250
IFEINFIPI70N10S3L12AKSA1
IPI70N10S3L-12
2156-IPI70N10S3L12AKSA1-IT
IPI70N10S3L-12-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP70N10S3L12AKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
401
DEL NUMMER
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF6892STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
IRLR024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRFIZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP
