Tillverkare Produktnummer:
IPI60R250CPAKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI60R250CPAKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventarier:
12805934
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI60R250CPAKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IPI60R250CP-DG
SP000358141
IPI60R250CP
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP18N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
470
DEL NUMMER
STP18N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.87
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STI18N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
229
DEL NUMMER
STI18N65M2-DG
ENHETSPRIS
1.05
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLZ44ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRLU8721-701PBF
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
IRF6674TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
