STI18N65M2
Tillverkare Produktnummer:

STI18N65M2

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STI18N65M2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

229 Pcs Ny Original I Lager
12876872
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STI18N65M2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STI18

Datablad och dokument

Datablad
ST(I,P)18N65M2

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
-1138-STI18N65M2
497-15550-5

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STD1HNC60T4

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

stmicroelectronics

STL7N80K5

MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT

stmicroelectronics

STF34NM60N

MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP

stmicroelectronics

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB