Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPD80R1K4CEBTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD80R1K4CEBTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
Förfrågan Online
12800507
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD80R1K4CEBTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD80R
Datablad och dokument
Datablad
IPx80R1K4CE
Datasheets
IPD80R1K4CEBTMA1
HTML-Datasheet
IPD80R1K4CEBTMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD80R1K4CEBTMA1CT
IPD80R1K4CEBTMA1TR
IPD80R1K4CEBTMA1DKR
SP001100604
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD5N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2500
DEL NUMMER
STD5N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.64
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPD80R1K4CEATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPD80R1K4CEATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.48
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7