Tillverkare Produktnummer:
IPB030N08N3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB030N08N3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventarier:
2748 Pcs Ny Original I Lager
12800521
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB030N08N3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8110 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
IPB030
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB030N08N3GATMA1CT
SP000444100
IPB030N08N3 GCT
IPB030N08N3 G-DG
IPB030N08N3GATMA1TR
IPB030N08N3G
IPB030N08N3 GDKR-DG
IPB030N08N3 GDKR
IPB030N08N3 G
IPB030N08N3 GTR-DG
IPB030N08N3GATMA1DKR
IPB030N08N3 GCT-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
BSP373 E6327
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4