Tillverkare Produktnummer:
IPD100N04S4L02ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventarier:
2219 Pcs Ny Original I Lager
12800904
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD100N04S4L02ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 95µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-313
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
2156-IPD100N04S4L02ATMA1
448-IPD100N04S4L02ATMA1DKR
IPD100N04S4L02ATMA1-DG
448-IPD100N04S4L02ATMA1TR
448-IPD100N04S4L02ATMA1CT
SP001238380
INFINFIPD100N04S4L02ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
IPD09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
