Tillverkare Produktnummer:
IPB90N06S4L04ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
1281 Pcs Ny Original I Lager
12800714
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB90N06S4L04ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB90N06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-IPB90N06S4L04ATMA2
INFINFIPB90N06S4L04ATMA2
448-IPB90N06S4L04ATMA2CT
SP001028756
448-IPB90N06S4L04ATMA2TR
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
448-IPB90N06S4L04ATMA2DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA70R450P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10A TO220
IPB80P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3