Tillverkare Produktnummer:
IPB80P04P4L06ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB80P04P4L06ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12800725
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB80P04P4L06ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6580 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
88W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB80P
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-IPB80P04P4L06ATMA1
SP000842046
INFINFIPB80P04P4L06ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB80P04P4L06ATMA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3343
DEL NUMMER
IPB80P04P4L06ATMA2-DG
ENHETSPRIS
0.97
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD65R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
IPB136N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
