Tillverkare Produktnummer:
BSZ100N06NSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ100N06NSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventarier:
28982 Pcs Ny Original I Lager
12800737
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ100N06NSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 14µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1075 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 36W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ100N06NSATMA1TR
SP001067006
BSZ100N06NSATMA1CT
BSZ100N06NSATMA1DKR
BSZ100N06NSATMA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31