Tillverkare Produktnummer:
IPB65R190CFDAATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB65R190CFDAATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
256 Pcs Ny Original I Lager
12800301
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB65R190CFDAATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB65R190
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB65R190CFDAATMA1-DG
SP000928264
448-IPB65R190CFDAATMA1TR
448-IPB65R190CFDAATMA1DKR
448-IPB65R190CFDAATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCB20N60FTM
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2398
DEL NUMMER
FCB20N60FTM-DG
ENHETSPRIS
2.61
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE