Tillverkare Produktnummer:
BSZ100N06LS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ100N06LS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventarier:
99543 Pcs Ny Original I Lager
12800303
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ100N06LS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 23µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ100
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ100N06LS3GATMA1DKR
BSZ100N06LS3GATMA1TR
SP000453672
BSZ100N06LS3GATMA1CT
BSZ100N06LS3GINTR-DG
BSZ100N06LS3GINCT-DG
BSZ100N06LS3 G
BSZ100N06LS3GINDKR-DG
BSZ100N06LS3G
BSZ100N06LS3GINTR
BSZ100N06LS3GINCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD60R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3