Tillverkare Produktnummer:
IPB65R155CFD7ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB65R155CFD7ATMA1-DG
Beskrivning:
HIGH POWER_NEW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12989777
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB65R155CFD7ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
155mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 320µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1283 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
77W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB65R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP005413374
448-IPB65R155CFD7ATMA1TR
448-IPB65R155CFD7ATMA1DKR
448-IPB65R155CFD7ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK110U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
IPW65R090CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
