Tillverkare Produktnummer:
IPB45P03P4L11ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB45P03P4L11ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 45A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
12799738
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB45P03P4L11ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max)
+5V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3770 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
58W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB45P03
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000396276
2156-IPB45P03P4L11ATMA1
INFINFIPB45P03P4L11ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB60R160P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
BTS282ZE3180AATMA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
