Tillverkare Produktnummer:
BTS282ZE3180AATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BTS282ZE3180AATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Inventarier:
12799743
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BTS282ZE3180AATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
TEMPFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
49 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-funktion
Temperature Sensing Diode
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-1
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grundläggande produktnummer
BTS282
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
INFINFBTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2DKR
BTS282ZE3180AATMA2-DG
SP000910848
2156-BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2CT
BTS282ZE3180AATMA2TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
IPA65R310CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
