Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPB180N04S302ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB180N04S302ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventarier:
2 Pcs Ny Original I Lager
12800505
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB180N04S302ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-3
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
IPB180
Datablad och dokument
Datablad
IPB180N04S3-02
Datasheets
IPB180N04S302ATMA1
HTML-Datasheet
IPB180N04S302ATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB180N04S302
IPB180N04S3-02DKR
IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-DG
IPB180N04S302ATMA1DKR
IPB180N04S3-02TR-DG
IPB180N04S302ATMA1TR
2156-IPB180N04S302ATMA1
IPB180N04S3-02TR
IPB180N04S3-02DKR-DG
IPB180N04S3-02-DG
IPB180N04S302ATMA1CT
IFEINFIPB180N04S302ATMA1
IPB180N04S3-02
SP000254821
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB180N04S401ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1268
DEL NUMMER
IPB180N04S401ATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.59
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPB80N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB50R140CPATMA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3