Tillverkare Produktnummer:
IPB110N20N3LFATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB110N20N3LFATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
526 Pcs Ny Original I Lager
12804379
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB110N20N3LFATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 3
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 260µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB110
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001503864
IPB110N20N3LFATMA1DKR
IPB110N20N3LFATMA1TR
IPB110N20N3LFATMA1CT
IPB110N20N3LFATMA1-DG
2156-IPB110N20N3LFATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
IRF9332PBF
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO