Tillverkare Produktnummer:
IRFH8318TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFH8318TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventarier:
15872 Pcs Ny Original I Lager
12804380
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFH8318TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3180 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
IRFH8318
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRFH8318TRPBFCT
IRFH8318TRPBFDKR
SP001572710
IRFH8318TRPBFTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
IRF9332PBF
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
IRFH8202TRPBF
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
