Tillverkare Produktnummer:
IPB06P001LATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB06P001LATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12801174
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB06P001LATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 5.55mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
281 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB06P
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001647768
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB110P06LMATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1649
DEL NUMMER
IPB110P06LMATMA1-DG
ENHETSPRIS
2.28
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP05N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPB65R190CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3