Tillverkare Produktnummer:
IPB65R190CFDATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB65R190CFDATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
12801179
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB65R190CFDATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
151W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB65R190
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPB65R190CFDATMA2TR
448-IPB65R190CFDATMA2CT
448-IPB65R190CFDATMA2DKR
SP001977038
IPB65R190CFDATMA2-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB21N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1748
DEL NUMMER
STB21N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.31
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
IPP16CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
IPI65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
