Tillverkare Produktnummer:
IPB048N15N5ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB048N15N5ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
1607 Pcs Ny Original I Lager
12800798
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB048N15N5ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB048
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB048N15N5ATMA1DKR
IPB048N15N5ATMA1CT
IPB048N15N5ATMA1TR
IPB048N15N5ATMA1-DG
SP001279596
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3