Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPB160N04S3H2ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB160N04S3H2ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12800801
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB160N04S3H2ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-3
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grundläggande produktnummer
IPB160
Datablad och dokument
Datablad
IPB160N04S3-H2
Datasheets
IPB160N04S3H2ATMA1
HTML-Datasheet
IPB160N04S3H2ATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
IPB160N04S3-H2-DG
IPB160N04S3-H2TR-DG
SP000254818
IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3H2ATMA1TR
IPB160N04S3H2ATMA1DKR
IPB160N04S3-H2TR
IPB160N04S3H2
INFINFIPB160N04S3H2ATMA1
IPB160N04S3-H2
IPB160N04S3-H2DKR
IPB160N04S3-H2CT-DG
IPB160N04S3-H2DKR-DG
IPB160N04S3H2ATMA1CT
2156-IPB160N04S3H2ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB160N04S4H1ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
870
DEL NUMMER
IPB160N04S4H1ATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.40
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDB024N04AL7
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
29849
DEL NUMMER
FDB024N04AL7-DG
ENHETSPRIS
2.73
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
IPB100N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3