Tillverkare Produktnummer:
IPA60R099P6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA60R099P6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
487 Pcs Ny Original I Lager
12800575
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
AomK
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA60R099P6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
34W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA60R099
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPA60R099P6XKSA1
SP001114654
448-IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P6XKSA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
