Tillverkare Produktnummer:
IPB65R150CFDATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB65R150CFDATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
1000 Pcs Ny Original I Lager
12800579
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPB65R150CFDATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
195.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IPB65R150
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001977036
448-IPB65R150CFDATMA2DKR
448-IPB65R150CFDATMA2CT
448-IPB65R150CFDATMA2TR
IPB65R150CFDATMA2-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
