Tillverkare Produktnummer:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventarier:
1976 Pcs Ny Original I Lager
12799541
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IAUT165N08S5N029ATMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6370 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
167W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN
Grundläggande produktnummer
IAUT165
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
IAUT165N08S5N029ATMA2TR
IAUT165N08S5N029ATMA2DKR
INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029CT
2156-IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029CT-DG
IAUT165N08S5N029TR
IAUT165N08S5N029DKR
IAUT165N08S5N029ATMA2CT
IAUT165N08S5N029TR-DG
SP001585162
IAUT165N08S5N029DKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSP315PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
