Tillverkare Produktnummer:
BSP315PH6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP315PH6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
30933 Pcs Ny Original I Lager
12799542
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP315PH6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.17A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 160µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
160 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
BSP315
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-BSP315PH6327XTSA1
SP001058830
ROCINFBSP315PH6327XTSA1
BSP315PH6327XTSA1TR
BSP315PH6327XTSA1DKR
BSP315PH6327XTSA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSF035NE2LQXUMA1
MOSFET N-CH 25V 22A/69A 2WDSON
BTS247ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
BSC042N03S G
MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
