Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BSS192PL6327HTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSS192PL6327HTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventarier:
Förfrågan Online
12847710
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSS192PL6327HTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT89
Paket / Fodral
TO-243AA
Datablad och dokument
Datasheets
BSS192PL6327HTSA1
HTML-Datasheet
BSS192PL6327HTSA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BSS192PL6327XT
BSS192PL6327
BSS192PL6327HTSA1DKR
SP000095795
BSS192P L6327-DG
BSS192PL6327INTR-DG
BSS192PL6327INCT
BSS192PL6327INCT-DG
BSS192PL6327INDKR-DG
BSS192P L6327
BSS192PL6327HTSA1TR
BSS192PL6327INTR
BSS192PL6327INDKR
BSS192PL6327HTSA1CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSS192,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
42132
DEL NUMMER
BSS192,115-DG
ENHETSPRIS
0.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
BSS192PH6327FTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
22508
DEL NUMMER
BSS192PH6327FTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.16
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FQD30N06TF_F080
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
FQPF13N10L
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
FDD2670
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
FDMS86350ET80
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56