FDD2670

Tillverkare Produktnummer:

FDD2670

Product Overview

Tillverkare:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

FDD2670-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

2496 Pcs Ny Original I Lager

12847720

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDD2670 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

onsemi

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

200 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3.6A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

130mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1228 pF @ 100 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.2W (Ta), 70W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-252AA

Paket / Fodral

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Grundläggande produktnummer

FDD267

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

2,500

Andra namn

FDD2670TR

2156-FDD2670

FDD2670DKR

FDD2670CT

FDD2670-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

onsemi

FDMS86350ET80

MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56

onsemi

FDN336P-NL

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FDB075N15A_SN00284

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FDWS9510L-F085

MOSFET P-CH 40V 50A 8DFN