Tillverkare Produktnummer:
BSP171PH6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP171PH6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
3760 Pcs Ny Original I Lager
12851798
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP171PH6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 460µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
BSP171
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BSP171PH6327XTSA1CT
IFEINFBSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1TR
SP001058824
BSP171PH6327XTSA1DKR
2156-BSP171PH6327XTSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
FDC634P
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
