RHU002N06FRAT106
Tillverkare Produktnummer:

RHU002N06FRAT106

Product Overview

Tillverkare:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

RHU002N06FRAT106-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3

Inventarier:

13608 Pcs Ny Original I Lager
12851829
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

RHU002N06FRAT106 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
UMT3
Paket / Fodral
SC-70, SOT-323
Grundläggande produktnummer
RHU002

Datablad och dokument

Datablad
RHU002N06FRAT106

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
RHU002N06FRAT106-DG
846-RHU002N06FRAT106DKR
846-RHU002N06FRAT106TR
846-RHU002N06FRAT106CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

MPF990

MOSFET N-CH 90V 2A TO92-3

infineon-technologies

IPD80R360P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

infineon-technologies

BSC022N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6

onsemi

FDS8896

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC