Tillverkare Produktnummer:
BSP135H6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP135H6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventarier:
53521 Pcs Ny Original I Lager
12799074
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP135H6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 94µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.9 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
146 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
BSP135
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
BSP135H6327XTSA1CT
BSP135H6327XTSA1DKR
BSP135H6327XTSA1TR
SP001058812
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
AUIRFZ44ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
