Tillverkare Produktnummer:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventarier:
28939 Pcs Ny Original I Lager
12799085
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSZ130N03LSGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ130
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
BSS84PL6433HTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
