Tillverkare Produktnummer:
BSP129L6327HTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSP129L6327HTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventarier:
12847908
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSP129L6327HTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
240 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
0V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
FET-funktion
Depletion Mode
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4-21
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSP129H6327XTSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4926
DEL NUMMER
BSP129H6327XTSA1-DG
ENHETSPRIS
0.29
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK