Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
NTMS5835NLR2G
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTMS5835NLR2G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
Förfrågan Online
12847909
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTMS5835NLR2G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2115 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
NTMS58
Datablad och dokument
Datablad
NTMS5835NL
Datasheets
NTMS5835NLR2G
HTML-Datasheet
NTMS5835NLR2G-DG
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
2156-NTMS5835NLR2G-ONTR
NTMS5835NLR2GOSTR
ONSONSNTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2GOSCT
NTMS5835NLR2GOSDKR
NTMS5835NLR2G-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AO4484
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
213599
DEL NUMMER
AO4484-DG
ENHETSPRIS
0.17
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SQ4050EY-T1_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4852
DEL NUMMER
SQ4050EY-T1_GE3-DG
ENHETSPRIS
0.35
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
NTMKE4891NT1G
MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK