Tillverkare Produktnummer:
BSC670N25NSFDATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC670N25NSFDATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
8474 Pcs Ny Original I Lager
12799565
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC670N25NSFDATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 125 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC670
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC670N25NSFDATMA1DKR
BSC670N25NSFDATMA1TR
BSC670N25NSFDATMA1CT
BSC670N25NSFDATMA1-DG
SP001107234
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
