Tillverkare Produktnummer:
IPA040N06NXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPA040N06NXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 69A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventarier:
12799572
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPA040N06NXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 50µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3375 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
36W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IPA040
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
448-IPA040N06NXKSA1
IPA040N06NXKSA1-DG
SP001196264
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
