Tillverkare Produktnummer:
BSC084P03NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC084P03NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventarier:
8968 Pcs Ny Original I Lager
12799348
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC084P03NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-5
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC084
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC084P03NS3 GCT-DG
2156-BSC084P03NS3GATMA1-448
BSC084P03NS3 G-DG
BSC084P03NS3 GDKR
BSC084P03NS3GATMA1TR
BSC084P03NS3 GTR-DG
BSC084P03NS3GATMA1CT
BSC084P03NS3G
BSC084P03NS3 GDKR-DG
BSC084P03NS3 GCT
BSC084P03NS3GATMA1DKR
SP000473020
BSC084P03NS3 G
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSO4410T
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSZ013NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
