BSZ013NE2LS5IATMA1
Tillverkare Produktnummer:

BSZ013NE2LS5IATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

BSZ013NE2LS5IATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventarier:

42096 Pcs Ny Original I Lager
12799353
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BSZ013NE2LS5IATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ013

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
5,000
Andra namn
BSZ013NE2LS5IATMA1-DG
448-BSZ013NE2LS5IATMA1CT
448-BSZ013NE2LS5IATMA1TR
448-BSZ013NE2LS5IATMA1DKR
SP001288148

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

BSZ0503NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON

infineon-technologies

BSP149H6906XTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

infineon-technologies

BSC882N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 34V 8TDSON

infineon-technologies

BSP135 E6327

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4