Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
BSC042NE7NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC042NE7NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
34469 Pcs Ny Original I Lager
12799060
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC042NE7NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 91µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 37.5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC042
Datablad och dokument
Datablad
BSC042NE7NS3 G
Datasheets
BSC042NE7NS3GATMA1
HTML-Datasheet
BSC042NE7NS3GATMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC042NE7NS3 GTR-DG
BSC042NE7NS3G
2156-BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1TR
BSC042NE7NS3 GCT-DG
BSC042NE7NS3 G-DG
SP000657440
BSC042NE7NS3 GDKR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3 G
BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC042NE7NS3 GTR
BSC042NE7NS3GATMA1CT
INFINFBSC042NE7NS3GATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
BSC050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
BSS225L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4