Tillverkare Produktnummer:
BSC031N06NS3GATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC031N06NS3GATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
6397 Pcs Ny Original I Lager
12799316
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC031N06NS3GATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC031
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC031N06NS3 G-DG
BSC031N06NS3 GTR-DG
BSC031N06NS3 GCT-DG
BSC031N06NS3GATMA1DKR
BSC031N06NS3GATMA1CT
BSC031N06NS3 GDKR
BSC031N06NS3 GDKR-DG
BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3GATMA1TR
BSC031N06NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC031N06NS3G
BSC031N06NS3 GTR
BSC031N06NS3 G
SP000451482
BSC031N06NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO