Tillverkare Produktnummer:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventarier:
12802287
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSB008NE2LXXUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 12 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Fodral
3-WDSON
Grundläggande produktnummer
BSB008
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF6717MTRPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
8674
DEL NUMMER
IRF6717MTRPBF-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPW60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
