Tillverkare Produktnummer:
IPW60R170CFD7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventarier:
12802296
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPW60R170CFD7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1199 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
75W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO247-3-21
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IPW60R170
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
448-IPW60R170CFD7XKSA1
IPW60R170CFD7
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
SP001617988
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTH24N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
268
DEL NUMMER
IXTH24N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.98
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW31N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6
DEL NUMMER
STW31N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.20
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS119 E7978
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPA50R950CE
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP
