AUIRFSL4010-313TRL
Tillverkare Produktnummer:

AUIRFSL4010-313TRL

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

AUIRFSL4010-313TRL-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12939227
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

AUIRFSL4010-313TRL Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Ytterligare information

Standard-paket
800
Andra namn
448-AUIRFSL4010-313TRLTR
SP001516870

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
microchip-technology

APT1201R5BVRG

MOSFET N-CH 1200V 10A TO247

vishay-siliconix

SQ2361AEES-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3

vishay-siliconix

SQ4410EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

vishay-siliconix

SQJ488EP-T1_BE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8