Tillverkare Produktnummer:
APT1201R5BVRG
Product Overview
Tillverkare:
Microchip Technology
DiGi Electronics Delenummer:
APT1201R5BVRG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 10A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
12939234
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
APT1201R5BVRG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
-
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4440 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
APT1201
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
150-APT1201R5BVRG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ2361AEES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
SQ4410EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
SQJ488EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
