GT110N06S
Tillverkare Produktnummer:

GT110N06S

Product Overview

Tillverkare:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

GT110N06S-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventarier:

50000 Pcs Ny Original I Lager
12975387
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

GT110N06S Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOP
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
4,000
Andra namn
4822-GT110N06STR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
goford-semiconductor

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

nexperia

PMV28ENER

PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

micro-commercial-components

MCG53N06A-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

vishay-siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE