Tillverkare Produktnummer:
SIB4317EDK-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIB4317EDK-T1-GE3-DG
Beskrivning:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 4.3A (Ta), 4.5A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventarier:
3499 Pcs Ny Original I Lager
12975418
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIB4317EDK-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 4.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-75-6
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIB4317EDK-T1-GE3DKR
742-SIB4317EDK-T1-GE3TR
742-SIB4317EDK-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2305BHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
NDS0610-PG
MOSFET P-CH 60V SOT-23
MCAC25P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
