Tillverkare Produktnummer:
GT090N06K
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GT090N06K-DG
Beskrivning:
MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
1583 Pcs Ny Original I Lager
13001577
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GT090N06K Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1088 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
3141-GT090N06KTR
3141-GT090N06KDKR
3141-GT090N06KCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQA602CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
S2M0040120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
