Tillverkare Produktnummer:
AS2302
Product Overview
Tillverkare:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Delenummer:
AS2302-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventarier:
26141 Pcs Ny Original I Lager
13001597
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AS2302 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Anbon Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
3.81 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
220 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
4530-AS2302TR
4530-AS2302CT
4530-AS2302DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
JANSR2N7591U3
RH MOSFET _ U3
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
