G7K2N20LLE
Tillverkare Produktnummer:

G7K2N20LLE

Product Overview

Tillverkare:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G7K2N20LLE-DG

Beskrivning:

N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

Inventarier:

2823 Pcs Ny Original I Lager
13004186
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

G7K2N20LLE Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
577 pF @ 100 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
1.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-6L
Paket / Fodral
SOT-23-6

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3141-G7K2N20LLEDKR
4822-G7K2N20LLETR
3141-G7K2N20LLECT
3141-G7K2N20LLETR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
good-ark-semiconductor

GSFP1526

MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,

good-ark-semiconductor

GSFR0308

MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S

good-ark-semiconductor

SSFP6904

MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 60V,

goford-semiconductor

GT025N06AM6

N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.